合肥科晶定向CVD生长炉--OTF-1200X-50-DSL

炉体结构

• 采用双层壳体结构，并带有风冷系统
• 一个滑轨安装在炉体下端，可通过一6“的触摸屏来控制炉体移动方向、滑动速度和往返次数
• 采用高纯氧化铝纤维作为炉膛材料，并且表面涂有美国进口高温氧化铝涂层，可提高加热效率和延长使用寿命。

功率

1.5KW

电压

AC220V，单相

最高共工作温度

1200℃（≤1小时）

连续工作温度

1100℃

加热区域

• 加热区：200mm(单温区）
• 通过管堵位置和炉体移动可形成想得到的温度梯度

加热元件

掺钼铁铬铝（表面涂有高温氧化锆涂层，可延长其使用寿命）

炉管

• 高纯石英管
• 尺寸：50 mm OD x 46mm ID x 1000 mm L
• 仪器加热前，必须放入管堵，以防止热量辐射影响法兰的密封性

温控系统

• 采用PID方式调节温度，可设置30段升温、降温和保温程序
• 设置有温度过高和断偶保护系统
• 控温精度：±1℃
• 可选测PC控制软件，将升温程序和温度曲线导入到电脑中
• 控温仪表操作视频

炉体滑动控制系统

• 触摸屏控制
• 炉体移动有手动和自动控制两种控制状态，在手动状态和自动状态下均可设定左右移动的速度，但只有在自动状态下才能设定左右移动的次数。
• 含蜂鸣报警器，当炉体触碰到限位开关就会产生报警，并切断控制电路，使炉体停止移动。
• 可显示高温炉内的炉温，与之通讯

密封法兰

• 仪器中配有一套不锈钢密封法兰（上面已安装不锈钢针阀和机械压力表）
• 法兰上有一Φ6.35的铠装孔，可将热电偶插入到炉管中，更准确地测量样品的实际温度
  

可选配石英气体喷嘴，将反应气体与缓冲清洗气体分开通入，可有效减少副反应发生，实现高端CVD工艺，如局部控制前体浓度化学气相沉积工艺（ALC CVD）或单晶二维材料薄膜的生长工艺等。

真空度

• 10E-5 torr （用分子泵）
• 10E-2 torr （用直联式机械泵）
  
    

滑轨长度

1200mm

产品尺寸

• 315 x 300 x 380  mm (炉体) 
• 1200 x 400 x 530 mm ( 整个外形)
• 360 x 180 x 300 mm（电器控制柜）

重量

100KG

质保期

一年质保期，终生维护（不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件损耗件）

质量认证

  CE certified